2018 Fall Meeting
Sep 5 - Sep 7, 2018Okayama University
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Sep 5 - Sep 7, 2018Okayama University
[2A06]Electric characteristics and radiation detection characteristics of BGaN semiconductor detectors
*Natsuki Yamada1, Takayuki Maruyama1, Hisaya Nakagawa1, Yoku Inoue1, Toru Aoki2, Takayuki Nakano1(1. Shizuoka Univ., 2. R.I.E. Shizuoka Univ.)
Keywords:
BGaN,Neutron detection,Neutron detectior,Semiconductor detector
我々は新規中性子検出器としてBGaN半導体検出器を提案している。本研究では、有機金属気相堆積(MOCVD)法により作製された縦型BGaN-pinダイオードの基礎電気特性および検出特性を評価した。BGaNダイオードの放射線検出特性はα線、及び中性子照射下におけるエネルギースペクトル測定によって評価した。α線照射時のエネルギースペクトル測定、及びPHITSコードを用いたα線飛程シミュレーションより、BGaN層全体が有感層として機能していることが確認された。また、α線照射時と中性子照射時の二次元エネルギースペクトル測定結果の比較から、中性子捕獲反応によって生じるエネルギーをBGaN層で検出していることが示唆された。