日本金属学会2021年秋期(第169回)講演大会
Sep 14 - Sep 17, 2021オンライン開催
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[P147]EC Properties of Y-doped InN Film Prepared by Glancing-angle Reactive Evaporation
MIZUKI IDE1, *SAKI SAKI1, YASUSI INOUE2, OSAMU TAKAI3(1. Chiba Institute of Technology, 2. Chiba Institute of Technology, 3. Kanto Gakuin University)
斜入射反応性蒸着法によりY添加InN薄膜を作製し，EC波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査した．Y添加によりInN結晶性が低下し，酸素不純物が増加したため光吸収端は短波長側へシフトした．