[S7] S7 Future of Widegap Crystals Opened by High-Temperature Processing I

2:20 PM - 2:40 PM JST(5:20 AM - 5:40 AM UTC)

[S7.4] New understanding of the growth mechanism in the SiC single crystal sublimation method and considerations based on computational thermodynamics

*MINOWA Takehisa, ABE Taichi¹ (1. National Institute for Materials Science)

Keywords:

SiC,単結晶,昇華法,状態図,熱力学計算

単結晶SiC昇華法の成長メカニズムに関して、金相学的観察と熱力学的状態図計算による見直しを行い、従来考えられていたメカニズムの問題点を明らかにし、新たな昇華法の考え方について提案するものである。