The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Mar 19 - Mar 22, 2016 Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus
JSAP Spring / Autumn Meeting
The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Mar 19 - Mar 22, 2016 Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus

[21a-P2-17]Ion Implantation and Annealing Effect to Si Using TCAD

〇(B)Yuki Hirota1, Yosuke nakaguchi1, Takuma Adachi1, Kota Takahama1, Koji Mukai1, Takeshi Tanaka1(1.Hiroshima Inst of Tech)

Keywords:

education,semiconductor,technology computer aided design

本研究ではTCADシミュレーションを用いてイオン注入、アニール処理を行うことによりアニール技術の重要性を明確にし、大学教育への応用を試みた。実験の結果、アニール処理には温度依存性があり、一定温度以上では不純物がSi原子と置換しながら拡散していると考えられた。今後、半導体プロセスの基礎的な教育として、TCADを用いたイオン注入とアニールのシミュレーション及び結果の考察を活用したい。