The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016
Mar 19 - Mar 22, 2016 Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus
The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016
Mar 19 - Mar 22, 2016 Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus
[21a-P2-18]Angle Dependence of ion implantation to Si using TCAD
〇(B)Takuma Adachi1, Yuki Hirota1, Yosuke Nakaguchi1, Kota Takahama1, Koji Mukai1, Takeshi Tanaka1(1.Hiroshima Inst.of Tech)
Keywords:
TCAD,education,ion implantation
本研究はTCADを用いてイオン注入技術の理解と基礎的な教育システムの構築を目的とした初歩的な研究である.そこでTCADを用いたシミュレーションでイオン注入角による不純物分布への影響を観察した.チルト角0～70°まで変化させた時,チルト角が大きくなるにつれて不純物がウェーハの浅いところに集中して分布することが観察できた.今後TCADを用いた基礎的な教育システムの構築を進めていきたい.