The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017
Sep 5 - Sep 8, 2017Fukuoka Convention Center
The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017
Sep 5 - Sep 8, 2017Fukuoka Convention Center
[6a-PA1-15]Implementation of a Schottky barrier diode fabrication experiment for semiconductor education
Toshinori Eko1, 〇Atsushi Utsumi1(1.NIT, Maizuru College)
Keywords:
semiconductor device
半導体デバイスの特性は，材料，形状，周囲温度などによって変化する．これらを理解するためには，学生自身がデバイスを作製し，測定を行う実験実習が有効であると考えられる．これまでに，我々は短時間でかつ低コストで作製できる学生実験用ショットキーバリヤダイオードを開発しており，今回は学生実験に導入した結果について報告する．