The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

Mar 17 - Mar 20, 2018Nishi-waseda Campus, Waseda University / bell salle Takadanobaba
JSAP Spring / Autumn Meeting
The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

Mar 17 - Mar 20, 2018Nishi-waseda Campus, Waseda University / bell salle Takadanobaba

[17p-P1-10]Fabrication of p-type CuI thin films by sputtering deposition for the application of hole transport layer in perovskite solar cells

〇Kota Ando1, Masaki Nozawa1, Hiroto Ashikawa1, Tetsuya Kaneko1, Masao Isomura1(1.Tokai Univ.)

Keywords:

semiconductor

太陽電池には再生可能エネルギー利用技術として大きな期待が寄せられている。普及を加速させるには、さらなる変換効率の向上などが必要である。そんな中でも現在注目されている太陽電池としてペロブスカイト太陽電池がある。塗るだけで作成可能な利点を持つペロブスカイト太陽電池は近年、目まぐるしい変換効率の向上が見受けられる。しかしこのペロブスカイト太陽電池の正孔輸送層に一般的に使用されているSpiro-OMeTADという有機系化合物にはコスト面、耐久性において問題がある。そこでp型伝導を示すヨウ化銅(CuI)をペロブスカイト太陽電池の正孔輸送層に適用することで、コスト面、耐久性の改善を目的としている。今回は、スパッタ法で作製した窒化銅(Cu3N)薄膜をヨウ素化することでCuI薄膜の作製を試みた。