JSAP Spring / Autumn Meeting

近年のエネルギー変換デバイスや光学デバイスの発展に伴い，Geの高精度の微細加工技術の実現が期待されている。これまでのGeのドライエッチングに関する報告で用いられているエッチングマスクはフォトレジストやSiO₂であり，電子線レジストをマスク材料として用いられた例はほとんどない。今回は，ポジ型電子線レジストSML（EM Resist, UK）をエッチングマスクとして用いたGeのドライエッチングについて検討したので報告する。