[17p-PA02-6]XPS analysis of Si mask for KOH etching fabricated by Ar+ beam irradiation
〇Mina Sato1, Mie Tohnishi1, Akihiro Matsutani1(1.Tokyo Tech.)
Keywords:
XPS,KOH etching,ECR ion shower
FIB装置を用いてGa+をSi基板表面に照射した際,アモルファス化によりKOH溶液によるエッチング耐性を示すことが知られているが,広範囲のアモルファス化が困難である.そのためECRプラズマ源からAr+ビームを試料に照射すれば,広範囲の微細パターンのアモルファス化が可能になり,KOHエッチング用のエッチングマスクとして機能することを報告した.今回はXPSによりAr+照射前後のSi表面の状態について解析した結果を報告する.
