JVSS 2020
Nov 19 - Nov 21, 2020Online
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[1Ea05Y]Influence of nitrogen gas flow ratio on GaN film growth using high-density convergent plasma sputtering device at room temperature
○本村大成1)，田原竜夫1)，藤尾侑輝1)，奥山哲也2)(1)産総研センシングシステム研究センター ，2)久留米工業高専材料システム工)
