ICSCRM2019
2019年9月29日〜10月4日Kyoto International Conference Center
ICSCRM2019
2019年9月29日〜10月4日Kyoto International Conference Center
[Mo-1A-04]1200 V / 200 A V-groove Trench MOSFET Optimized for Low Power Loss and High Reliability
*Kosuke Uchida1, Toru Hiyoshi1, Yu Saitoh1, Hiroshi Egusa1, Tatsushi Kaneda1, Hirotaka Oomori1, Takashi Tsuno1(1. Sumitomo Electric Industries, Ltd.(Japan))