日本金属学会2021年秋期(第169回)講演大会
2021年9月14日〜9月17日オンライン開催
日本金属学会2021年秋期(第169回)講演大会
2021年9月14日〜9月17日オンライン開催
[P128]分子線エピタキシー法によるGaAs/GaNAsBi/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤの成長
*奥嶋 正浩1、吉川 晃平1、森 翔太1、行宗 詳規1、石川 史太郎1(1. 愛媛大工)
キーワード：
半導体、ナノワイヤ、分子線エピタキシー
光ファイバーの通信波長帯域である1300nmの発光を目指し、N、Bi添加ナノワイヤを成長させた。今回は、作製したGaNAsBiナノワイヤの構造特性や、発光特性を調査及び評価した。