日本金属学会2021年秋期(第169回)講演大会
2021年9月14日〜9月17日オンライン開催
日本金属学会2021年秋期(第169回)講演大会
2021年9月14日〜9月17日オンライン開催
[P147]斜入射反応性蒸着法により作製したYドープInN薄膜のEC特性
井出 みずき1、*宮原 佐季1、井上 泰志2、高井 治3(1. 千葉工大工(学生)、2. 千葉工大工、3. 関東学院大材料表面研)
キーワード：
斜入射堆積法、窒化インジウム、イットリウムドープ、吸着誘起型エレクトクロミック
斜入射反応性蒸着法によりY添加InN薄膜を作製し，EC波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査した．Y添加によりInN結晶性が低下し，酸素不純物が増加したため光吸収端は短波長側へシフトした．