[S7] S7 高温プロセッシングが拓くワイドギャップ結晶の未来I

16:10 〜 16:30

[S7.8] 電磁攪拌強化下におけるCr-Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長

*山本 皓貴¹、中本 将嗣¹、鈴木 賢紀¹、吉川 健¹、亀井 一人¹ (1. 大阪大工)

キーワード：

結晶成長、結晶構造、熱力学、状態図

AlN結晶は6.1eVと大きいバンドギャップを有することから、深紫外光素子やパワーデバイスの基板材料としての開発が進んでいる。Cr-Ni系溶媒を用いたAlN単結晶の溶液成長により最大500 µm/hでの成長が確認された。