2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

2015年9月13日〜9月16日名古屋国際会議場
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応用物理学会春季・秋季学術講演会
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

2015年9月13日〜9月16日名古屋国際会議場

[14p-2Q-8]自己形成法を用いた、ナノメートル領域のボトムアップ法とマイクロメートル領域のトップダウン法との架橋技術の構築

〇章 国強1,2、滝口 雅人1,2、舘野 功太1,2、後藤 秀樹1(1.NTT 物性研、2.NTT NPC)
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キーワード：

半導体、ナノワイヤ、自己組織化

This work presents a method that bridges the gap between the nanometer-scale bottom-up and micrometer-scale top-down approaches for site-defined InP/InAs heterostructure NWs, which has long been a significant challenge for applications that require low-cost and high-throughput manufacturing processes.
　　　
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