2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
2016年3月19日〜3月22日東工大 大岡山キャンパス
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
2016年3月19日〜3月22日東工大 大岡山キャンパス
[21a-P2-11]工学実験への導入を目指したMOSFETの作製
〇(B)冨田 昌吾1、辻 琢人1、長岡 史郎2、大谷 真弘3(1.鈴鹿工業高等専門学校、2.香川高等専門学校、3.奈良工業高等専門学校)
キーワード：
半導体、工学実験
これまでに我々は，必要最低限の簡略化したプロセスでSi太陽電池を作製する実験教材を構築し，工学実験などで活用してきた．この実験教材で確立したn型不純物拡散層及びAl電極を簡易な方法で形成するプロセスとあわせて，フォトリソグラフィと酸化膜形成プロセスを新たに確立することができれば，MOSFETを作製する実験教材を構築できる．そこで，これまでに確立した技術を基に，簡略化した方法でMOSFETの作製を試みた．