2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
2016年3月19日〜3月22日東工大 大岡山キャンパス
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
2016年3月19日〜3月22日東工大 大岡山キャンパス
[21a-P2-16]TCADを用いた初歩的なSiCパワー半導体プロセスの教育システムの構築
〇(B)高濱 滉太1、広田 悠輝1、中口 陽介1、足立 拓磨1、向井 浩二1、田中 武1(1.広工大)
キーワード：
SiC、MOSFET、TCAD
本研究ではTCADを用いた半導体プロセス教育システムによる、SiCパワー半導体の技術開発の理解を目指し、SiC-MOSFETのシミュレーションを行った。ゲート電圧30V、ドレイン電圧30Vにおいて220Aの電流が観察できた。また、閾値電圧を0Vとした場合に降伏電圧は1880Vとなった。デバイスの作製からシミュレーションを行い、SiCパワー半導体の初歩的な構造や特性の理解を行うことができた。