[21a-P2-17]TCADを用いたSiへのイオン注入とアニール効果
〇(B)広田 悠輝1、中口 陽介1、足立 拓磨1、高濱 滉太1、向井 浩二1、田中 武1(1.広島工大)
キーワード:
教育、半導体、TCAD
本研究ではTCADシミュレーションを用いてイオン注入、アニール処理を行うことによりアニール技術の重要性を明確にし、大学教育への応用を試みた。実験の結果、アニール処理には温度依存性があり、一定温度以上では不純物がSi原子と置換しながら拡散していると考えられた。今後、半導体プロセスの基礎的な教育として、TCADを用いたイオン注入とアニールのシミュレーション及び結果の考察を活用したい。
