2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

2016年3月19日〜3月22日東工大 大岡山キャンパス
応用物理学会春季・秋季学術講演会
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

2016年3月19日〜3月22日東工大 大岡山キャンパス

[21a-P2-17]TCADを用いたSiへのイオン注入とアニール効果

〇(B)広田 悠輝1、中口 陽介1、足立 拓磨1、高濱 滉太1、向井 浩二1、田中 武1(1.広島工大)

キーワード:

教育、半導体、TCAD

本研究ではTCADシミュレーションを用いてイオン注入、アニール処理を行うことによりアニール技術の重要性を明確にし、大学教育への応用を試みた。実験の結果、アニール処理には温度依存性があり、一定温度以上では不純物がSi原子と置換しながら拡散していると考えられた。今後、半導体プロセスの基礎的な教育として、TCADを用いたイオン注入とアニールのシミュレーション及び結果の考察を活用したい。