2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
2016年3月19日〜3月22日東工大 大岡山キャンパス
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
2016年3月19日〜3月22日東工大 大岡山キャンパス
[21a-P2-18]TCADを用いたSiへのイオン注入の角度依存性
〇(B)足立 拓磨1、広田 悠輝1、中口 陽介1、髙濱 滉太1、向井 浩二1、田中 武1(1.広工大)
キーワード：
TCAD、教育、イオン注入
本研究はTCADを用いてイオン注入技術の理解と基礎的な教育システムの構築を目的とした初歩的な研究である.そこでTCADを用いたシミュレーションでイオン注入角による不純物分布への影響を観察した.チルト角0～70°まで変化させた時,チルト角が大きくなるにつれて不純物がウェーハの浅いところに集中して分布することが観察できた.今後TCADを用いた基礎的な教育システムの構築を進めていきたい.