[6p-A405-3] 単一InAs/InPナノワイヤ発光ダイオードの動特性評価 | 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

2017年9月5日〜9月8日福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス

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2017年9月5日〜9月8日福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス

[6p-A405-3]単一InAs/InPナノワイヤ発光ダイオードの動特性評価

〇滝口雅人^1,2、章国強^1,2、佐々木智²、野崎謙悟^1,2、Edward Chen²、俵毅彦^1,2、後藤秀樹²、納富雅也^1,2(1.NTT ナノフォトニクスセンタ、2.NTT 物性研)

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キーワード：

ナノワイヤ、発光ダイオード、直接変調

ナノワイヤ（NW）は様々な材料特性を有するため、光チップ内に集積することで新しいデバイス応用が期待できる。これまで我々はフォトニック結晶中にNWを導入することで微小共振器を形成させ光励起でレーザ発振を達成[1]したが、電流注入構造[2]は実現できていなかった。本研究ではチップ内光源を念頭に、単一NWの電流注入構造を作製し、通信波長帯・単一NW発光ダイオードの特性を評価した。
[1] M. Takiguchi, et.al., APL Photonics, 2, 046106 (2017)
[2] X. Duan, et.al., Nature 421, 241, (2003)

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