応用物理学会春季・秋季学術講演会

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体GaAsを用いたナノワイヤは、単一のナノワイヤそのものがレーザとして機能するなど、高い発光効率を有している。一方、同材料は表面非発光再結合の影響が顕著であり、これを抑制する試みが種々行われている。今回我々はAlGaAs/GaAsコアシェルナノワイヤの作製において、AlGaAs層を自然酸化させ、さらにその内部にもAlGaAsパッシベーション層を成長することを試みた。作製したナノワイヤに対して評価を行った結果を報告する。