[22a-P01-8]Ar+ビーム照射によるSiアモルファスマスクを利用したKOHエッチングによる単一細胞分離プレートとマイクロ流路の作製
〇佐藤 美那1、遠西 美重1、松谷 晃宏1(1.東工大 OFC)
キーワード:
KOHエッチング、Si、ECRイオンシャワー
FIB装置を用いて数十keVのGa+をSi基板表面に照射した際,アモルファス化によりKOH溶液によるエッチング耐性を示すことが知られているが,その場合には微小範囲のアモルファス化にとどまる.そこで,本発表ではECRイオンシャワー装置を用いてAr+ビームを試料に照射し,Si表面をアモルファス化し,KOHエッチングにより単一細胞分離プレートを作製した結果について報告する.また,マイクロ流路を作製した結果については当日報告する.
