[15p-PB05-1]中空GaNナノワイヤレーザからのベクトルビーム生成
〇滝口 雅人1,2、Sergent Sylvain1,2、Damilano Benjamin3、Vézian Stéphane3、Chenot Sébastien3、Yazigi Nicole3、養田 大騎1,2、土澤 泰1,4、角倉 久史1,2、新家 昭彦1,2、納富 雅也1,2,5(1.NTT NPC、2.NTT 物性研、3.CNRS-CRHEA、4.NTT 先デ研、5.東工大理)
キーワード:
ナノワイヤ、レーザ、ベクトルビーム
半導体ナノワイヤ [1] は一次元構造を持つ機能性材料であり、ナノレーザなど様々な応用が期待される。我々は、昇華法[2]を用い中空 (HC) ナノワイヤを初めて作製し、基板に直立した状態でレーザ発振を実現した[3]。この構造の特徴はナノワイヤの直径と内部の穴径を調整することで、中空状の電界分布が基底モードになるため、ベクトルビーム発振を可能する。本発表では中空ナノワイヤからのベクトルビーム特性に関して報告する。
[1] M. Notomi, et.al., Opt. Mater. Express, 10, 2560 (2020)
[2] B. Damilano, et al, Appl. Phys. Express, 12, 045007 (2019)
[3] 滝口、応物2022 春
[1] M. Notomi, et.al., Opt. Mater. Express, 10, 2560 (2020)
[2] B. Damilano, et al, Appl. Phys. Express, 12, 045007 (2019)
[3] 滝口、応物2022 春
