2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
2023年3月15日〜4月11日上智大学 四谷キャンパス+オンライン
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[17p-PA02-6]Ar+ビーム照射により作製したKOHエッチング用SiマスクのXPS解析
〇佐藤 美那1、遠西 美重1、松谷 晃宏1(1.東工大OFC)
キーワード：
XPS、KOHエッチング、ＥCRイオンシャワー
FIB装置を用いてGa＋をSi基板表面に照射した際，アモルファス化によりKOH溶液によるエッチング耐性を示すことが知られているが，広範囲のアモルファス化が困難である．そのためECRプラズマ源からAr＋ビームを試料に照射すれば，広範囲の微細パターンのアモルファス化が可能になり，KOHエッチング用のエッチングマスクとして機能することを報告した．今回はXPSによりAr＋照射前後のSi表面の状態について解析した結果を報告する．