SISPAD2023
2023年9月26日〜9月29日
SISPAD2023
2023年9月26日〜9月29日
[P-04]First-Principles Study of Charged Point Defects in 4H-SiC: Accurate Formation Energies, Trap Levels, and Beyond
*Haruhide Miyagi1, Ulrik G. Vej-Hansen2, Brad A. Wells2, Jan-Niclas Luy2, Christoph Zechner3(1. Nihon Synopsys G.K., 2. Synopsys Denmark, 3. Synopsys GmbH)