International Conference on Solid State Devices and Materials
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1987 Conference on Solid State Devices and Materials
1987年8月25日
〜8月27日
Nippon Toshi Center, Tokyo, Japan
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1987 Conference on Solid State Devices and Materials
詳細情報
1987 Conference on Solid State Devices and Materials
1987年8月25日
〜8月27日
Nippon Toshi Center, Tokyo, Japan
[A-3-6]
6000V Gate Turn-Off Thyristor (GTO) with N-Buffer and New Anode Short Structure
Tsuneo Ogura、Mitsuhiko Kitagawa、Hiromichi Ohashi、Akio Nakagawa(1.Research and Development Center and Tamagawa Works, Toshiba Corp.)
https://doi.org/10.7567/SSDM.1987.A-3-6
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