International Conference on Solid State Devices and Materials
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1989 Conference on Solid State Devices and Materials
1989年8月28日
〜8月30日
Nippon Toshi Center, Tokyo, Japan
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1989 Conference on Solid State Devices and Materials
詳細情報
1989 Conference on Solid State Devices and Materials
1989年8月28日
〜8月30日
Nippon Toshi Center, Tokyo, Japan
[A-2-4]
Blanket CVD-W Formed by SiH4 Reduction of WF6 on TiN for Planar Interconnection
M. Iwasaki、H. Itoh、T. Katayama、K. Tsukamoto、Y. Akasaka(1.LSI R&D Lab., Mitsubishi Electric Corp.)
https://doi.org/10.7567/SSDM.1989.A-2-4
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