International Conference on Solid State Devices and Materials
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2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
2004年9月14日
〜9月17日
Tower Hall Funabori, Tokyo, Japan
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2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
詳細情報
2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
2004年9月14日
〜9月17日
Tower Hall Funabori, Tokyo, Japan
[A-1-2]
Physical Origin of Drive Current Enhancement in Ultra-thin Ge-On-Insulator (GOI) MOSFETs under Full Ballistic Transport
Shin-ichi Takagi(1.Department of Frontier Informatics, Graduate School of Frontier Science, The University of Tokyo)
https://doi.org/10.7567/SSDM.2004.A-1-2
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