2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
2004年9月14日〜9月17日Tower Hall Funabori, Tokyo, Japan
2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
2004年9月14日〜9月17日Tower Hall Funabori, Tokyo, Japan
[B-1-5]1.2nm HfSiON/SiON stacked gate insulators for 65nm-node MISFETs
Motofumi Saitoh、Nobuyuki Ikarashi、Heiji Watanabe、Shinji Fujieda、Hirohito Watanabe、Toshiyuki Iwamoto、Ayuka Morioka、Takashi Ogura、Masayuki Terai、Koji Watanabe、Makoto Miyamura、Toru Tatsumi、Taeko Ikarashi、Koji Masuzaki、Yukishige Saito、Yuko Yabe(1.System Devices Research Laboratories, NEC Corp.)
