2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
2009年10月6日〜10月9日Sendai Kokusai Hotel, Miyagi, Japan
2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
2009年10月6日〜10月9日Sendai Kokusai Hotel, Miyagi, Japan
[B-4-2]Gate Leakage Advantage of LaO Incorporation for Vt Tuning in High-k nMOSFETs over Metal Gate WF Control
M. Kadoshima1、S. Sakashita1、T. Kawahara1、M. Inoue1、M. Mizutani1、Y. Nishida1、A. Shimizu1、Y. Takeshima1、S. Yamanari1、M. Anma1、R. Mitsuhashi2、Y. Satoh2、S. Matsuyama2、A. Tsudumitani2、Y. Okuno2、H. Umeda1、J. Yugami1、H. Yoshimura1、H. Miyatake1(1.Renesas Tech. Corp.(Japan)、2.Panasonic Corp.(Japan))
