2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
2010年9月21日〜9月24日The University of Tokyo, Tokyo, Japan
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
2010年9月21日〜9月24日The University of Tokyo, Tokyo, Japan
[A-9-2]Oxygen Plasma Process of Self-assembled Monolayer Gate Dielectric for 2-V Operation High-mobility Organic TFT
K. Kuribara1、T. Nakagawa1、K. Fukuda1、T. Yokota1、T. Sekitani1、U. Zschieschang2、H. Klauk2、T. Someya1、T. Yamamoto3、K. Takimiya3(1.Univ. of Tokyo , Japan、2.Max Planck Inst for Solid State Res. , Germany、3.Hiroshima Univ. , Japan)
