[G] Ultrafine-Grained Materials

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[129] レーザ照射によるシリコンウェハ中のボイド発生機構

*NAMAI Kohei¹, ITOH Goroh², KOBAYASHI Junya², KAWAGUCHI Daisuke³ (1. 茨城大（院）、2. 茨城大、3. 浜松ホトニクス)

Keywords:

レーザ,シリコン,ボイド

半導体ウェハのダイシング技術として内部へのレーザ集光により割断する技術が開発されているが、集光部の詳しい挙動については不明な点が多い。そこでウェハ内部で水素が発生していると仮定し、その影響を調査する。