[P] 5.材料化学

12:30 PM - 2:30 PM JST(3:30 AM - 5:30 AM UTC)

[P121] Auを用いたMIC法によるGe薄膜の低温結晶化

*TEZUKA Nairu¹, KYUNO Kentaro¹ (1. 芝浦工大)

Keywords:

半導体,薄膜,結晶

MIC法による結晶化機構を解明するために、Au薄膜上にGeをスパッタリングで成膜し、アニール中にXRD測定を行った。その結果、150℃~160℃付近でGe(111)面のピークが増大し、Au(111)面のピークが減少した。