[G] Analysis/Characterization/Evaluation

1:55 PM - 2:10 PM JST(4:55 AM - 5:10 AM UTC)

[336] In-situ biasing of domain structures in a Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ single crystal by high-voltage electron microscopy

*SATO Kazuhisa^1,2, ASAKURA Naoya³, YASUDA Hidehiro^1,2 (1. UHVEM, Osaka Univ., 2. Osaka Univ., 3. Osaka Univ.)

Keywords:

超高圧電子顕微鏡,電場印加観察,電子直接検出型カメラ,リラクサー,ドメイン

電場印加によるPMN-PTのドメイン構造変化を電子直接検出型CMOSカメラを搭載した超高圧電子顕微鏡を用いて2.5ミリ秒スケールでその場観察した。