[G] Melting and solidification process/High temperature process

2:10 PM - 2:25 PM JST(5:10 AM - 5:25 AM UTC)

[377] Cell growth behavior of pure Si melt growth

*MAEDA Kensaku¹, FUJIWARA Kozo¹ (1. IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:

セル成長,その場観察,シリコン,融液成長,ファセット

純Siの融液成長においてセル成長を再現することができた。Geを添加した場合は不純物の効果によりセル成長が起こりやすい。本発表内容では不純物の効果は無く、温度の不均一によりセル構造が形成されたと考えられる。