[G] Melting and solidification process/High temperature process

3:10 PM - 3:25 PM JST(6:10 AM - 6:25 AM UTC)

[381] Effect of twinning on the growth rate of the GaSb{111} facet plane

*SHIGA Keiji¹, MAEDA Kensaku¹, MORITO Haruhiko¹, FUJIWARA Kozo¹ (1. Inst. of Mater.)

Keywords:

結晶成長,凝固,その場観察,化合物半導体,双晶,GaSb,極性

GaSbの一方向凝固過程における固液界面をその場観察し、双晶界面の形成が結晶粒の成長速度に及ぼす影響を調べた。<111>B方向に成長する結晶粒の成長速度は双晶形成後に約半分に低下した。