[P] P23~P30

9:00 AM - 10:30 AM JST(12:00 AM - 1:30 AM UTC)

[P28] Fabrication of Y-doped InN Films by Glancing-angle Reactive Sputtering

Takumi Konishi¹, *Daichi Daichi¹, Yasushi Inoue², Osamu Takai³ (1. Chiba Institute of Technology, 2. Chiba Institute of Technology, 3. Kanto Gakuin University)

Keywords:

斜入射堆積法,窒化インジウム,イットリウムドープ,吸着誘起型エレクトロクロミック

InNにYを添加することでバンドギャップを縮小させ，EC波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査した．Y添加によりInN結晶性が低下し，酸素不純物が増加したため光吸収端は短波長側へシフトした．