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[209]Structural inhomogeneity and crystallization of amorphous group IV semiconductors

*Masayuki OKUGAWA1 (1. Osaka Univ.)
アモルファスの構造不均一が結晶化挙動へ与える影響を明らかにすることを目的として,スパッタリング法によって作製したGeおよびSiGe合金薄膜の構造と結晶化をTEMとMDシミュレーションにより調べた.