[S9] S9 Materials Science and high temperature processing of widegap materials III

11:30 AM - 11:50 AM JST(2:30 AM - 2:50 AM UTC)

[S9.3] Effect of Prandtl number on SiC solution growth

*Sakiko KAWANISHI¹, Mai ABE¹, Takeshi YOSHIKAWA², Hiroyuki SHIBATA¹ (1. IMRAM Tohoku Univ., 2. IIS U.Tokyo)

Keywords:

SiC,溶液成長,熱流体シミュレーション

Pr数は熱伝達率と動粘性係数の比で示さる、融体の熱流動への寄与の大きな無次元数である。SiC溶液成長の熱流体シミュレーションにおいて、Pr数が溶液内の熱流動に及ぼす影響を調査した結果を発表する。