[P] P192~P204

3:30 PM - 5:00 PM JST(6:30 AM - 8:00 AM UTC)

[P201] Effect of Ge or Sn addition on Single Crystal Formation Ability and Crystal Growth of GaSb Magnetic Semiconductor Fine Particles

*Kei NAKAYAMA¹, Katuhisa NAGAYAMA¹ (1. Shibaura Institute of Tecnology)

Keywords:

ドロップチューブプロセス,単結晶形成能,結晶成長,III-V族化合物半導体,IV族元素

本研究はGaSb系n型単結晶磁性半導体の創製を目指し、IV族元素GeまたはSnを添加したGaSb3元磁性半導体微粒子試料を作製し、単結晶形成能と結晶成長を解析することを目的とした。