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4:20 PM - 4:35 PM JST(7:20 AM - 7:35 AM UTC)

[S3.16]Quantitative evaluation of lattice defects in in-situ electrical resistance measurement during deformation

*Soichiro TAKENAKA¹, Kazuhiro ISHIKAWA², Yoji MIYAJIMA² (1. Kanazawa Univ.(M1), 2. Kanazawa Univ.)

引張試験,電気抵抗,格子欠陥,画像相関法

電気抵抗率は格子欠陥密度によって変化するため，電気抵抗測定によって格子欠陥密度の変化が測定されてきた．そこで，応力印加時に格子欠陥密度を測定することを目的に，引張変形中その場電気抵抗測定を行った．