[P] P3~P7

10:00 AM - 11:30 AM JST(1:00 AM - 2:30 AM UTC)

[P5] Crystallization of Ge thin films using Au and effect of heating rate in the annealing process

*Ken HIROSE¹, Kenjiro KIMURA¹, Narin SUNTHORNPAN¹, Kentaro KYUNO^1,2 (1. 芝浦工大、2. 芝浦工大グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

Keywords:

半導体,Ge,トランジスタ

現在、半導体によく用いられているSiよりも高いキャリア移動度を示し、結晶化温度も低いものにGeがある。Geの熱処理における昇温速度依存性を構造解析と電気測定によって調べた。