[P] P3~P7

10:00 AM - 11:30 AM JST(1:00 AM - 2:30 AM UTC)

[P6] Preparation of Ge Thin Films by Ag-Induced Crystallization and Electrical Properties

*Aiko WASHIO¹, Kentaro KYUNO^1,2 (1. SIT, 2. SIT International Research Center for Green Electronics)

Keywords:

半導体,薄膜,電子デバイス

Agを用いたMIC法で、低温でのGe薄膜の結晶化を試み、結晶化させたGe薄膜をチャネル層としたトランジスタ特性を調べた。結晶粒が密になっているGe50nm/Ag30nmが各試料の中で最も大きな電界効果移動度が得られた。