[P] P6~P12

1:00 PM - 2:30 PM JST(4:00 AM - 5:30 AM UTC)

[P10] Change in electrical resistivity with V substitution to CrN on the verge of Mott insulator transition

*Shu SAWAYA¹, Khairul　Abrar Bin　Onn¹, Tsuneo Suzuki¹ (1. Nagaoka Univ. of Tech.)

Keywords:

遷移金属窒化物,強相関電子系材料

MgO(001)基板上に(Cr_1-x,V_x)N薄膜を作製し、エピタキシャル成長により結晶欠陥・粒界の影響を低減した電気的特性を報告する。