[P10]Change in electrical resistivity with V substitution to CrN on the verge of Mott insulator transition
*Shu SAWAYA1, Khairul Abrar Bin Onn1, Tsuneo Suzuki1(1. Nagaoka Univ. of Tech.)
MgO(001)基板上に(Cr1-x,Vx)N薄膜を作製し、エピタキシャル成長により結晶欠陥・粒界の影響を低減した電気的特性を報告する。
