[P] P46~P59

1:00 PM - 2:30 PM JST(4:00 AM - 5:30 AM UTC)

[P58] Light influence on dislocation behavior of basal slip in GaN single crystals

*Ryosuke Kinosita¹, Yan Li¹, Hiroto Oguri¹, Eita Tochigi², Atsutomo Nakamura¹ (1. Osaka Univ., 2. Univ. Tokyo)

Keywords:

光インデンテーション,化合物半導体,転位,光制御,窒化ガリウム

光インデンテーション法を用いて，GaN単結晶の底面転位挙動における光環境効果を評価した．底面すべりにおいて外部光環境は転位の生成にはほとんど影響を与えないが，運動には大きく影響を及ぼすことが確認された．