[P] P7~P25

12:00 PM - 1:30 PM JST(3:00 AM - 4:30 AM UTC)

[P17] Crystallization of amorphous HfO₂ films by irradiation with low-energy electron beams

*Sota Hoshishima¹, Ryusuke Nakamura² (1. Univ. of Shiga Pref (M), 2. Univ. of Shiga Pref)

Keywords:

アモルファス,酸化ハフニウム（HfO₂）,電子ビーム照射,結晶化,透過型電子顕微鏡

透過電子顕微鏡を用いて，低エネルギーの電子ビーム照射によるアモルファスHfO₂の結晶化を試みた．電子エネルギー40 keVにおいて，電子フラックスが(1.0-2.5) × 10²³ m^-2 s^-1の範囲で結晶化した．