[P] P75~P79

12:00 PM - 1:30 PM JST(3:00 AM - 4:30 AM UTC)

[P78] Crystallization of Ge thin films by MIC method using AuSb alloys

*YUMA NASHIKI¹, NARIN SUNTHORNPAN¹, KENTARO KYUNO^1,2 (1. Shibaura Institute of Technology, 2. SIT Center for Next Generation Semiconductor HR)

Keywords:

半導体,低温結晶化,薄膜トランジスタ,MIC法,金属誘起結晶化

MIC法は前駆体アモルファス半導体に金属を導入し低温で結晶化する方法である。本研究はMIC法を利用しAuおよびAuSbを金属触媒とした際のGe結晶の結晶性と電気特性の違いを明らかにすることを目的とする。