[P] P239~P252

4:00 PM - 5:30 PM JST(7:00 AM - 8:30 AM UTC)

[P245] Temperature Dependence of Critical Resolved Shear Stress and Dislocation Motion in Phosphorus-Doped Si Single Crystals

*Toma Sugizono¹, Tatsuya Morikawa², Shigeto Yamasaki², Masaki Tanaka², Jun Fujise³, Toshiaki Ono³ (1. Kyushu　University, 2. Kyushu　University, 3. SUMCO Corporation)

Keywords:

P-Si,臨界分解剪断応力,降伏応力,転位運動,活性化エネルギー

Pを添加したSi単結晶について降伏応力の温度依存性を調べ、P濃度による差を考察した。また、塑性変形の活性化エネルギーを調べることでSiの塑性変形メカニズムについて考察した。