[G] Electronic Materials/Terahertz Light

3:35 PM - 3:50 PM JST(6:35 AM - 6:50 AM UTC)

[249] Resistance change behavior during tensile test in amorphous CrTe₃ film/Polyimide substrate

*Rikuto YOSHIDA¹, Yinli Wang¹, Yi Shuang², Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1. Graduate School of Engineering, Tohoku university, 2. Advanced Institute for Materials Research, Tohoku university)

Keywords:

CrTe₃,ピエゾ抵抗効果,ひずみゲージ,アモルファス薄膜

アモルファス相CrTe₃薄膜/ポリイミド基板における応力印加に対する抵抗変化機構の解明を目的とし、スパッタリング法により成膜した膜厚200nmの同薄膜に対し引張試験とその場電気特性測定、表面観察を実施した。