[P] P14~P18

2:00 PM - 3:30 PM JST(5:00 AM - 6:30 AM UTC)

[P16] Ab Initio Calculations of Point Defects and Self-Trapped Electrons in La₂SnO₂S₃

*Teruya NAGAFUJI¹, Tomoya GAKE¹, Soungmin BAE¹, Akira TAKAHASHI¹, Fumiyasu OBA¹ (1. Tokyo Institute of Technology)

Keywords:

第一原理計算,点欠陥,ワイドギャップ半導体

本研究では、第一原理計算を用いてLa₂SnO₂S₃の点欠陥の性質を系統的に調査し、La₂SnO₂S₃のキャリアの生成・補償機構を明らかにした。